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J-GLOBAL ID：201402294126011852   Reference number：14A1134696

電流制御型液相成長法による大気圧下でのc面GaNの成長

Author (6)： KAMBAYASHI DAISUKE (名城大 理工) ,  HISHIDA TAKESHIGE (名城大 大学院理工学研究科) ,  TOMITA MASAFUMI (名城大 理工) ,  TAKAKURA HIROYUKI (名城大 理工) ,  MARUYAMA TAKAHIRO (名城大 理工) ,  NARITSUKA SHIGEYA (名城大 理工)
Material： 名城大学総合研究所総合学術研究論文集  (Journal of Research Institute of Meijo University)
Issue： 12  Page： 99-104  Publication year： Mar. 31, 2013 
JST Material Number： L5724A  ISSN： 1347-6149  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *electromigration ,  *solution growth ,  *thin film growth ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *current control ,  homoepitaxy ,  growth rate ,  dependence ,  electrode
Semi thesaurus term： current dependence

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 電流制御 ,  液相成長 ,  大気圧 ,  GaN ,  成長