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J-GLOBAL ID：201402296988853028   Reference number：14A0465165

Development of gallium oxide power devices

酸化ガリウム電力素子の開発

Author (6)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  MASUI Takekazu (Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN)
Material： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A.)
Volume： 211  Issue： 1  Page： 21-26  Publication year： Jan. 2014 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： FET ,  *gallium oxide ,  *semiconductor device ,  MESFET ,  compound semiconductor ,  MBE growth ,  Schottky barrier diode ,  oxide semiconductor
Semi thesaurus term： *power device ,  molecular beam epitaxy

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 酸化ガリウム ,  電力素子 ,  開発