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J-GLOBAL ID：201402298420119373   Reference number：14A0055564

放射光光電子分光によるMOSFETゲートスタック構造の界面電子状態解析

Author (1)： TOYODA SATOSHI (京大 大学院工学研究科)
Material： 水曜会誌  (Transactions of the Mining and Metallurgical Association)
Volume： 24  Issue： 6  Page： 722-726  Publication year： Oct. 31, 2013 
JST Material Number： F0313A  ISSN： 0371-408X  CODEN： SUIYAA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *synchrotron radiation ,  photoelectron spectroscopy ,  *MOSFET ,  *insulating film ,  interface(surface) ,  *electronic state ,  titanium compound ,  nitride ,  angle resolved spectroscopy ,  depth profile ,  synchrotron radiation facility ,  beam line ,  hard X-ray ,  memory(computer) ,  solar cell ,  secondary battery
Semi thesaurus term： SPring-8 ,  gate stack ,  memory ,  photoelectron spectroscopy ,  depth profile ,  storage battery ,  titanium nitride ,  *synchrotron radiation

JST classification (2)： Cyclic accelerators  (BE02020X) ,  Applications of electron beams and ion beams  (BD02070X)

Terms in the title (7)： 放射光 ,  光電子分光 ,  MOSFET ,  ゲートスタック ,  界面 ,  電子状態 ,  解析