イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：西村竜平 , 佐藤明子 , 齊藤真大
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010273926
Publication number (International publication number)：2012124030
Patent number：5495236
Application date： Dec. 08, 2010
Publication date： Jun. 28, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】イオンビームをターゲットに照射するイオンビーム照射装置であって、正イオンからなるイオンビームを生成するイオン源と、前記イオン源と前記ターゲットの間に設けられ、前記イオン源から出たイオンビームを前記ターゲットに照射するために偏向、収束又は発散させる1又は複数の磁石と、前記磁石のイオンビーム上流側及び/又は下流側に形成される磁場勾配領域内であり、且つ、前記イオンビームが通過する領域外に配置されており、前記磁場勾配領域に電子を供給する1又は複数の電子源と、前記電子源の近傍において前記電子源の電子射出方向が遮られない位置に設けられており、負電圧が印加された収束電極と、を備えたことを特徴とするイオンビーム照射装置。

IPC (1)：

H01J 37/317 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01J 37/317 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-133001 Applicant：日新イオン機器株式会社
イオンビーム照射装置および半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-214662 Applicant：国立大学法人京都大学, 日新イオン機器株式会社
磁石内でイオンビームを中性化するための方法および装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-548860 Applicant：バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド

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