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J-GLOBAL ID：201403000708381786

SiC単結晶の製造方法

Inventor： 楠 一彦 ,  亀井 一人 ,  大黒 寛典 ,  加渡 幹尚 ,  坂元 秀光
Applicant, Patent owner： 新日鐵住金株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (6)： 上羽 秀敏 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛 ,  川上 桂子 ,  竹添 忠 ,  吉永 元貴
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013081382
Publication number (International publication number)：2014201509
Application date： Apr. 09, 2013
Publication date： Oct. 27, 2014
Summary：

【課題】メニスカスを形成して結晶成長を長時間行う場合であっても、単結晶の質の低下を抑制できるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】準備工程では、Si-C溶液15の原料が収容される坩堝と、SiC種結晶32が取り付けられるシードシャフト28とを含む製造装置を準備する。生成工程では、坩堝内の原料を加熱して溶融し、Si-C溶液15を生成する。成長工程では、Si-C溶液15にSiC種結晶32を接触させ、SiC種結晶32上でSiC単結晶40を成長させる。成長工程は、形成工程と、維持工程とを含む。形成工程では、SiC単結晶40の成長界面とSi-C溶液15の液面との間にメニスカス36を形成する。維持工程では、シードシャフト28及び坩堝の少なくとも一方を他方に対して高さ方向に相対移動させることにより、メニスカス36の高さの変動幅を所定の範囲内に維持する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

溶液成長法によりSiC単結晶を製造する製造方法であって、 Si-C溶液の原料が収容される坩堝と、SiC種結晶が取り付けられるシードシャフトとを含む製造装置を準備する準備工程と、 前記坩堝内の原料を加熱して溶融し、前記Si-C溶液を生成する生成工程と、 前記Si-C溶液に前記SiC種結晶を接触させ、前記SiC種結晶上で前記SiC単結晶を成長させる成長工程とを備え、 前記成長工程は、 前記SiC単結晶の成長界面と前記Si-C溶液の液面との間にメニスカスを形成する形成工程と、 前記シードシャフト及び前記坩堝の少なくとも一方を他方に対して高さ方向に相対移動させることにより、前記メニスカスの高さの変動幅を所定の範囲内に維持する維持工程とを含む、製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/10

FI (2)：

C30B29/36 A ,  C30B19/10

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077EG12 ,  4G077EH06 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA54

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 炭化硅素結晶の液相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-288946   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-221168   Applicant：住友金属工業株式会社
• SiC単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-033949   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶ウエハ及びSiC半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-265717   Applicant：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社