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J-GLOBAL ID：201403003163522858

光電場増強デバイスおよびその製造方法

Inventor： 山添 昇吾
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012153213
Publication number (International publication number)：2014016221
Application date： Jul. 09, 2012
Publication date： Jan. 30, 2014
Summary：

【課題】ラマン散乱光を高い感度で検可能な、耐久性に優れた光電場増強デバイスを得る。【解決手段】樹脂基板11上に第1の金属またはその酸化物から成る薄膜20を形成し、この樹脂基板11上に形成された薄膜20を水熱反応させることにより、第1の金属の酸化物の水和物からなる微細凹凸構造層22を形成し、その微細凹凸構造層22の表面に第2の金属から成る金属微細凹凸構造層24を形成し、樹脂基板11を加熱収縮させることにより、金属微細凹凸構造層24の表面に亀裂30を生じさせる。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

樹脂基板と、 該樹脂基板上に形成され、金属酸化物の水和物からなる、微細凹凸構造を表面に有する微細凹凸構造層と、 該微細凹凸構造層上に形成された、微細凹凸構造を表面に有する金属微細凹凸構造層とを備え、 前記金属微細凹凸構造層に亀裂を有することを特徴とする光電場増強デバイス。

IPC (1)：

G01N 21/65

FI (1)：

G01N21/65

F-Term (8)：

2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043DA06 ,  2G043EA03 ,  2G043FA06 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043JA03