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J-GLOBAL ID：201403004164853927

可視光応答性半導体光電極

Inventor： 佐山 和弘 ,  斉藤 里英 ,  ワン ニイニイ ,  三石 雄悟
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012152506
Publication number (International publication number)：2014015642
Application date： Jul. 06, 2012
Publication date： Jan. 30, 2014
Summary：

【課題】 半導体材料の光反応中の安定性を向上させ、且つ効率が低下しない、安定化された可視光応答性半導体光電極を提供する。【解決手段】 構成元素としてBi、V、W、及び酸素を含有してなる可視光応答性の半導体からなる半導体層上に、Nb、Sn、Zr、La、Ti、Bi、Taからなる群から選ばれた1種以上の元素を含む化合物からなる保護膜を被覆することにより、安定化された可視光応答性半導体電極を得る。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

構成元素としてBi、V、W、及び酸素を含有してなる可視光応答性の半導体からなる半導体層上に、Nb、Sn、Zr、La、Ti、Bi、Taからなる群から選ばれた1種以上の元素を含む化合物からなる保護膜が被覆されていることを特徴とする安定化された可視光応答性半導体電極。

IPC (3)：

C25B 11/06 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (3)：

C25B11/06 B ,  H01L31/04 Z ,  H01M14/00 P

F-Term (15)：

4K011AA04 ,  4K011AA25 ,  4K011AA66 ,  4K011DA01 ,  5F151AA14 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC14 ,  5H032CC16 ,  5H032HH01