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J-GLOBAL ID:201403012220791827

金属錯体化合物、当該金属錯体化合物を含む水素製造用触媒および水素化反応触媒、ならびに当該触媒を用いる水素の製造方法および水素化方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人SSINPAT
Gazette classification:再公表公報
Application number (International application number):JP2011077061
Publication number (International publication number):WO2012070620
Application date: Nov. 24, 2011
Publication date: May. 31, 2012
Summary:
本発明は、溶媒やアミンなどを添加しなくても高濃度のギ酸水溶液中で一定の高い活性を有するなど、従来よりも性能の高い水素製造用触媒を提供することを一つの目的とする。本発明に係る金属ホスフィン錯体は、一般式(1)MHm(CO)Lnで表される金属ホスフィン錯体であって、式中、Mはイリジウム、鉄、ロジウムまたはルテニウム原子を示し;Mがイリジウムまたはロジウム原子の場合、m=3、n=2であり、Mが鉄またはルテニウム原子の場合、m=2、n=3であり;n個のLは、それぞれ独立して、一般式(2)PR1R2R3で表されるトリ置換ホスフィンを示す。本発明に係る水素製造用触媒は、上記金属ホスフィン錯体を構成成分として含む。
Claim (excerpt):
一般式(1)で表される金属ホスフィン錯体。 MHm(CO)Ln (1) [式(1)中、 Mはイリジウム、鉄、ロジウムまたはルテニウム原子を示し、 Mがイリジウムまたはロジウム原子の場合、m=3、n=2であり、Mが鉄またはルテニウム原子の場合、m=2、n=3であり、 n個のLは、それぞれ独立して、一般式(2)で表されるトリ置換ホスフィンを示す。 PR1R2R3 (2) (式(2)中、R1、R2およびR3は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数が6〜15の芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい炭素原子数が5〜10の脂環式炭化水素基を示す。) ただし、すべてのLが、R1、R2およびR3すべてが無置換のフェニル基、直鎖炭化水素基、スルホ基もしくはハロゲンで置換されたフェニル基または無置換のシクロヘキシル基であるトリ置換ホスフィンである場合を除く。]
IPC (5):
C07F 9/50 ,  C07C 5/09 ,  C07C 15/52 ,  C01B 3/22 ,  H01M 8/06
FI (5):
C07F9/50 ,  C07C5/09 ,  C07C15/52 ,  C01B3/22 Z ,  H01M8/06 R
F-Term (20):
4G140DA02 ,  4G140DB05 ,  4G140DC02 ,  4G140DC03 ,  4H006AA02 ,  4H006AC11 ,  4H006BA22 ,  4H006BA48 ,  4H006BB25 ,  4H006BB61 ,  4H039CA21 ,  4H039CB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4H050WB13 ,  4H050WB16 ,  4H050WB21 ,  5H027AA02 ,  5H027BA00

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