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J-GLOBAL ID:201403013966951516

光電変換素子の製造方法、光電変換素子、太陽電池、及び太陽電池モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012167609
Publication number (International publication number):2014027175
Application date: Jul. 27, 2012
Publication date: Feb. 06, 2014
Summary:
【課題】より高い光電変換効率を実現しながらも、実用的な方法で光電変換素子を製造する製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも一対の電極と、電極間に位置する活性層と、活性層と電極の一方との間に位置する電子取り出し層とを有する光電変換素子の製造方法。スパッタリング法により電子取り出し層を形成する工程を含む。活性層は、式(IA)で表される繰り返し単位と式(IB)で表される繰り返し単位とを含むコポリマーを含有する。【選択図】なし
Claim (excerpt):
少なくとも一対の電極と、該電極間に位置する活性層と、該活性層と該電極の一方との間に位置する電子取り出し層とを有する光電変換素子の製造方法であって、 スパッタリング法により前記電子取り出し層を形成する工程を含み、 前記活性層は、下記式(IA)で表される繰り返し単位と式(IB)で表される繰り返し単位とを含むコポリマーを含有することを特徴とする、光電変換素子の製造方法。
IPC (1):
H01L 51/42
FI (1):
H01L31/04 D
F-Term (12):
5F151AA07 ,  5F151AA09 ,  5F151AA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB15 ,  5F151DA03 ,  5F151DA07 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent:
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