磁気電気効果素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010162612
Publication number (International publication number)：2012028369
Patent number：5545735
Application date： Jul. 20, 2010
Publication date： Feb. 09, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】炭素原子に結合可能な原子から構成された基部と、前記基部の表面の一部に形成されて炭素原子同士が前記基部の表面の平面方向のみに結合して構成されてジグザグ型の端部を備える第1炭素領域と、前記基部の表面の一部に形成されて、炭素原子に結合可能な原子が前記基部の表面の平面方向および前記基部の深さ方向に結合して構成されて前記第1炭素領域の端部に結合して前記第1炭素領域を前記基部に接続する結合領域と、前記基部の側に前記第1炭素領域と離間して対向配置し、炭素原子が前記基部の表面の平面方向および前記基部の深さ方向に結合して構成された炭素原子のみからなる第2炭素領域とを少なくとも備え、前記基部は炭化シリコンから構成されていることを特徴とする磁気電気効果素子。

IPC (5)：

H01L 29/66 ( 200 6.01) , H01L 29/82 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , C01B 31/02 ( 200 6.01) , B82B 1/00 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/66 C , H01L 29/82 Z , H01L 29/06 601 Z , C01B 31/02 101 Z , B82B 1/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

グラフェン集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-163856 Applicant：国立大学法人北海道大学
グラフェンの正孔ドーピング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2013-509032 Applicant：ナショナルユニヴァーシティーオブシンガポール
炭素系磁性材料を用いたスピントロニクス素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-279487 Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

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