ペロブスカイト化合物を用いた電界発光素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：下田一弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012225267
Publication number (International publication number)：2014078392
Application date： Oct. 10, 2012
Publication date： May. 01, 2014
Summary：

【課題】絶縁性多孔質微粒子表面上に、発光体である有機無機ペロブスカイト化合物を、溶液を用いた自己組織化により形成することにより、簡易に発光層の形成が可能な電界励起型分散無機EL素子を提供する。【解決手段】透明電極と背面電極との間に発光層が介在するEL素子であって、前記発光層が有機無機混成ペロブスカイト化合物、または無機ペロブスカイト化合物の少なくとも一種を被膜形成または吸着させた多孔質微粒子で構成されていることを特徴とする分散型無機EL素子である。また、多孔質微粒子が、体積抵抗率が108Ω・cm以上の絶縁性多孔質微粒子である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

透明電極と背面電極との間に発光層が介在するEL素子であって、前記発光層が下記一般式(1)若しくは(2)に示す有機無機混成ペロブスカイト化合物、または下記一般式(3)に示す無機ペロブスカイト化合物の少なくとも一種を被膜形成または吸着させた多孔質微粒子で構成されていることを特徴とする分散型無機EL素子。 CH3NH3M1X3 (1) (式中、M1は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) (R1NH3)2M1X4 (2) (式中、R1は炭素数2以上のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、複素環基または芳香族複素環基であり、M1は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) CsM2X3

IPC (4)：

H05B 33/14 , C09K 11/06 , C09K 11/00 , C09K 11/08

FI (4)：

H05B33/14 Z , C09K11/06 660 , C09K11/00 F , C09K11/08 G

F-Term (36)：

3K107AA08 , 3K107AA09 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB03 , 3K107BB08 , 3K107CC02 , 3K107CC04 , 3K107CC45 , 3K107DD53 , 3K107DD54 , 3K107DD59 , 3K107DD70 , 3K107FF04 , 4H001CA02 , 4H001CC02 , 4H001CC04 , 4H001CC13 , 4H001XA01 , 4H001XA06 , 4H001XA07 , 4H001XA09 , 4H001XA17 , 4H001XA25 , 4H001XA26 , 4H001XA27 , 4H001XA28 , 4H001XA29 , 4H001XA31 , 4H001XA35 , 4H001XA46 , 4H001XA50 , 4H001XA53 , 4H001XA55 , 4H001XA63 , 4H001XA82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

光電子素子
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2015-531644 Applicant：イシスイノベイションリミテッド
発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-073254 Applicant：キヤノン株式会社
有機・無機系ハイブリット型発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282699 Applicant：矢崎総業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Organic-inorganic heterostructure electroluminescent device using a layerd perovskite semiconductor

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