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J-GLOBAL ID：201403020894485716

ペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体、n-型半導体、n-型半導体の製造方法、および電子装置

Inventor： 舟橋 正浩 ,  竹内 望美
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 香川大学
Agent (3)： 辻丸 光一郎 ,  中山 ゆみ ,  伊佐治 創
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2012059270
Publication number (International publication number)：WO2012137853
Application date： Apr. 04, 2012
Publication date： Oct. 11, 2012
Summary：

高いキャリア移動度を有するn-型半導体を形成可能であり、かつ、溶解性に優れたペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体を提供する。 下記化学式(I)で表されることを特徴とするペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。 前記化学式(I)中、 R1〜R6は、それぞれ、水素原子、オルガノオリゴシロキサン、または任意の置換基であり、少なくとも一つはオルガノオリゴシロキサンから誘導される一価の置換基であり、 L1およびL2は、それぞれ、単結合または連結基であり、 R7〜R10は、それぞれ、低級アルキル基、またはハロゲンであり、 o、p、qおよびrは、それぞれ、0から2までの整数である。

Claim (excerpt)：

下記化学式(I)で表されることを特徴とするペリレンテトラカルボン酸ビスイミド誘導体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。

IPC (7)：

C07F 7/10 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/42 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/368

FI (8)：

C07F7/10 W ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/04 D ,  H05B33/22 B ,  H05B33/14 B ,  H01L21/368 L

F-Term (43)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC04 ,  3K107CC45 ,  3K107DD59 ,  3K107DD65 ,  3K107DD66 ,  3K107DD70 ,  3K107DD74 ,  3K107DD78 ,  3K107DD87 ,  3K107GG06 ,  4H049VN01 ,  4H049VP06 ,  4H049VP08 ,  4H049VP09 ,  4H049VQ67 ,  4H049VQ78 ,  4H049VQ79 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VR41 ,  4H049VR42 ,  4H049VS20 ,  4H049VS78 ,  4H049VS79 ,  4H049VU24 ,  4H049VW02 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL04 ,  5F053LL05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F151AA11