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J-GLOBAL ID：201403022165425498

均等磁場発生装置及びシム構造体の製造方法

Inventor： 内山 拓 ,  外山 健太郎 ,  渡邉 和幸 ,  松添 雄二 ,  市川 和洋 ,  兵藤 文紀
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社 ,  国立大学法人九州大学
Agent (2)： 廣瀬 一 ,  田中 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013098620
Publication number (International publication number)：2014217564
Application date： May. 08, 2013
Publication date： Nov. 20, 2014
Summary：

【課題】シムコイル及び磁性体シムを高精度で配置することができるシム構造体を有する均等磁場発生装置及びシム構造体の製造方法を提供する。【解決手段】軸方向に所定間隔を保って配設した磁場を発生させるリング状の複数の電磁石と、該複数の電磁石の内側に配設された電磁石で発生する磁場を均一磁場に補正するシム構造体SSとを備え、前記シム構造体SSは、パッシブシム41及びアクティブシムコイル43を配置した円筒体40で構成されている。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

軸方向に所定間隔を保って配設した磁場を発生させるリング状の複数の電磁石と、 該複数の電磁石の内側に配設された電磁石で発生する磁場を均一磁場に補正するシム構造体とを備え、 前記シム構造体は、パッシブシム及びアクティブシムコイルを配置した円筒体で構成されていることを特徴とする均等磁場発生装置。

IPC (2)：

A61B 5/055 ,  G01R 33/387

FI (2)：

A61B5/05 332 ,  G01N24/06 520Y

F-Term (10)：

4C096AA01 ,  4C096AB32 ,  4C096AD08 ,  4C096CA03 ,  4C096CA15 ,  4C096CA17 ,  4C096CA23 ,  4C096CA25 ,  4C096CA35 ,  4C096CA36