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J-GLOBAL ID：201403023378047906

SPRセンサー

Inventor： 宮寺 信生 ,  水澤 謙太 ,  新保 一成 ,  大平 泰生 ,  馬場 暁 ,  加藤 景三 ,  金子 双男 ,  川上 貴浩
Applicant, Patent owner： 日立化成株式会社 ,  国立大学法人 新潟大学
Agent (1)： 三好 秀和
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010526685
Patent number：5621983
Application date： Aug. 21, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 光路と、 前記光路の側面に、表面プラズモン共鳴現象を起こすように形成された金属層が積層されてなる検出領域と、 を有するSPRセンサーであって、 前記検出領域が、1つの光路に対して2箇所以上形成されていること、 前記2箇所以上の検出領域のうち少なくとも1箇所の検出領域にはさらに誘電率調整層が積層されて、各検出領域においてそれぞれ異なる表面プラズモン共鳴を有するように誘電率が調整されており、 前記2箇所以上の検出領域のうち少なくとも1箇所の検出領域に積層された誘電率調整層が、それ自体又はその最表面が被検出物に対して感受性を有する感受性層として機能すること、及び 前記誘電率調整層の膜厚が1〜200nmであり、かつ/または、前記誘電率調整層の構成材料の誘電率が1.2〜4であること、 を特徴とするSPRセンサー。

IPC (1)：

G01N 21/41 ( 200 6.01)

FI (1)：

G01N 21/41 101

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 偏光を用いたSPR装置及びSPR測定方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-216650   Applicant：科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
• 測定チップ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-095192   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 差動式SPRセンサー及び該センサーを用いた測定法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-154614   Applicant：軽部征夫, 秋元卓央

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Humidity Sensing Using Surface Plasmon Excitation in Fluorescent Microsphere Films