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J-GLOBAL ID：201403023996746025

気相成長装置および気相成長方法

Inventor： 西尾 譲司 ,  清水 達雄 ,  太田 千春 ,  四戸 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (3)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013059830
Publication number (International publication number)：2014187113
Application date： Mar. 22, 2013
Publication date： Oct. 02, 2014
Summary：

【課題】p型不純物とn型不純物の共ドープを容易にできる気相成長装置を提供する。【解決手段】実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室にSi(シリコン)のソースガスを供給する第1のガス供給路と、反応室にC(炭素)のソースガスを供給する第2のガス供給路と、反応室にn型不純物のソースガスを供給する第3のガス供給路と、反応室にp型不純物のソースガスを供給する第4のガス供給路と、n型不純物とp型不純物のソースガスの量を所定の割合に制御し反応室に導入する制御部と、を備える。そして、p型不純物を元素A、n型不純物を元素Dとする場合に、元素Aと元素Dとの組み合わせが、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)またはIn(インジウム)とN(窒素)、B(ボロン)とP(リン)の少なくとも一方の組み合わせである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

反応室と、 前記反応室にSi(シリコン)のソースガスを供給する第1のガス供給路と、 前記反応室にC(炭素)のソースガスを供給する第2のガス供給路と、 前記反応室にn型不純物のソースガスを供給する第3のガス供給路と、 前記反応室にp型不純物のソースガスを供給する第4のガス供給路と、 前記n型不純物と前記p型不純物のソースガスの量を所定の割合に制御し反応室に導入する制御部と、を備え、 前記p型不純物を元素A、前記n型不純物を元素Dとする場合に、前記元素Aと前記元素Dとの組み合わせが、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)またはIn(インジウム)とN(窒素)、B(ボロン)とP(リン)の少なくとも一方の組み合わせであることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42

FI (2)：

H01L21/205 ,  C23C16/42

F-Term (24)：

4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA06 ,  4K030LA12 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28