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J-GLOBAL ID：201403029216350700
正イオンを含有したエレクトレットの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012190350
Publication number (International publication number)：2014050196
Application date： Aug. 30, 2012
Publication date： Mar. 17, 2014
Summary：
【課題】大きな電荷密度を長期間維持することが可能なエレクトレットを製造する方法を提供する。【解決手段】 本発明による正イオンを含有したエレクトレットの形成方法は、加熱したSi基板に正の電荷を有するイオンを含む水蒸気を触れさせて、このSi基板の上に、当該イオンを含む酸化膜を形成する第1の工程と、酸化膜において当該Si基板と接していない側を負側とし、このSi基板において酸化膜に接していない側を正側とする電界を印加するとともに、酸化膜を形成したSi基板を水素雰囲気中で加熱し、この酸化膜に含まれるイオンをこの酸化膜においてSi基板に接していない側に移動させる第2の工程と、この第2の工程に続いて、不活性ガス雰囲気中で、酸化膜が形成されたSi基板を撥水性の化学吸着単分子膜を形成する化学物質を含む水蒸気に接触させて、この酸化膜の表面に撥水性の被膜を形成する第3の工程を含み、この第2の工程と第3の工程を、1つの共通な容器の中で続けて行う。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
加熱したSi基板に正の電荷を有するイオンを含む水蒸気を触れさせて、前記Si基板の上に、前記イオンを含む酸化膜を形成する第1の工程と、
前記酸化膜において前記Si基板と接していない側を負側とし、前記Si基板において前記酸化膜に接していない側を正側とする電界を印加するとともに、前記酸化膜を形成した前記Si基板を水素雰囲気中で加熱し、前記酸化膜に含まれる前記イオンを前記酸化膜において前記Si基板に接していない側に移動させる第2の工程と、
前記第2の工程に続いて、不活性ガス雰囲気中で、前記酸化膜が形成された前記Si基板を撥水性の化学吸着単分子膜を形成する化学物質を含む水蒸気に接触させて、前記酸化膜の表面に撥水性の被膜を形成する第3の工程を含み、
前記第2の工程と前記第3の工程は、1つの共通な容器の中で続けて行われることを特徴とする正イオンを含有したエレクトレットの形成方法。
IPC (1)：
FI (1)：
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