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J-GLOBAL ID：201403032774306417

プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル

Inventor： 幅崎 浩樹 ,  青木 芳尚 ,  ダミアン コバルスキー
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北海道大学
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009063776
Publication number (International publication number)：2010218859
Patent number：5366131
Application date： Mar. 17, 2009
Publication date： Sep. 30, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】アモルファス構造を有するタングステン酸化物系複合酸化物からなり、かつプロトン伝導性を示す膜である、プロトン伝導性膜。

IPC (8)：

H01M 8/02 ( 200 6.01) ,  H01M 8/12 ( 200 6.01) ,  H01M 4/88 ( 200 6.01) ,  H01B 1/06 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  G01N 27/406 ( 200 6.01) ,  C23C 14/14 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01)

FI (10)：

H01M 8/02 M ,  H01M 8/02 K ,  H01M 8/12 ,  H01M 8/02 E ,  H01M 4/88 T ,  H01B 1/06 A ,  H01B 13/00 Z ,  G01N 27/58 Z ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/58 Z