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J-GLOBAL ID：201403033511051763

半導体式ガス検知素子

Inventor： 皆越 知世 ,  前川 亨 ,  野村 勝裕 ,  蔭山 博之
Applicant, Patent owner： 新コスモス電機株式会社
Agent (3)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也 ,  太田 隆司
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010260066
Publication number (International publication number)：2012112701
Patent number：5345603
Application date： Nov. 22, 2010
Publication date： Jun. 14, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、 前記ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを0.8mol%以下の範囲、セリウムを0.8mol%以下の範囲で、固溶させてある半導体式ガス検知素子。

IPC (1)：

G01N 27/12 ( 200 6.01)

FI (2)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• ガスを検知および分析するシステム並びに方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-539835   Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• 半導体式ガス検知素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-081595   Applicant：新コスモス電機株式会社
• ガス検知素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-090214   Applicant：新コスモス電機株式会社
• ガス検知素子及びそれを有するガス検知装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-336069   Applicant：矢崎総業株式会社
• 一酸化炭素ガス検知素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-202160   Applicant：新コスモス電機株式会社