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J-GLOBAL ID：201403036234812858

半導体光素子およびその製造方法

Inventor：
小田 克矢

About 小田 克矢

, 
谷 和樹

About 谷 和樹


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013047995
Publication number (International publication number)：2014175526
Application date： Mar. 11, 2013
Publication date： Sep. 22, 2014
Summary：
【課題】シリコン基板上に形成した単結晶ゲルマニウム層の結晶性を向上することでキャリア再結合・生成準位を低減し、光学および電気特性の向上が可能なゲルマニウム光素子を提供する。【解決手段】SOI(シリコン・オン・インシュレーター)層の側壁に面内で伸張歪を有する単結晶ゲルマニウム8を形成し、SOI層と単結晶ゲルマニウムの欠陥含有領域をエッチング除去することで、結晶性の良い単結晶ゲルマニウムからなる半導体光素子と単結晶シリコン3からなる細線導波路を同一基板上に形成できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成された絶縁膜と、 該絶縁膜上に設けられた第1の単結晶半導体層と、 前記絶縁膜上に前記第1の単結晶半導体層とは隔てて設けられた前記第1の単結晶半導体層よりも格子定数の大きな第2の単結晶半導体層と、 前記第1の単結晶半導体層と前記第2の単結晶半導体層との間に設けられた絶縁層を具備し、 前記第2の単結晶半導体層が伸張歪を有し、 前記第1の単結晶半導体層と前記第2の単結晶半導体層とは電気的に絶縁されて光学的に結合される半導体光素子。
IPC (2)：
H01S 5/30 ,  H01L 31/10
FI (2)：
H01S5/30 ,  H01L31/10 A
F-Term (19)：
5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA08 ,  5F049RA07 ,  5F049WA01 ,  5F173AB03 ,  5F173AB13 ,  5F173AD11 ,  5F173AD15 ,  5F173AH34 ,  5F173AP04 ,  5F173AP12 ,  5F173AP33 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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