Pat
J-GLOBAL ID:201403036274357746
半導体レーザー装置とその製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
内藤 浩樹
, 藤井 兼太郎
, 寺内 伊久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013042562
Publication number (International publication number):2014170870
Application date: Mar. 05, 2013
Publication date: Sep. 18, 2014
Summary:
【課題】2つ以上の半導体レーザーを有する半導体レーザー装置を低コストで実現すること。【解決手段】基板21と、基板21上方に設けられた第1、第2の半導体レーザー25、30と、第1、第2の半導体レーザー25、30の間に介在する絶縁層26とを備え、第1の半導体レーザー25は、第1導電型クラッド層22、発光層23と、第2導電型クラッド層24、リッジ31、第1導電型電極33、第2導電型電極34を有し、絶縁層26は、第2導電型クラッド層24の上方における第2の領域102に配置され、第2の半導体レーザー30は、絶縁層26の上方に設けられた第1導電型クラッド層27、第2の発光層28、第2導電型クラッド層29、リッジ32、第1導電型電極35、第2導電型電極36と、を備えた半導体レーザー装置とした。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板と、
前記基板上方に設けられた第1の半導体レーザーと、
前記基板上方に設けられた第2の半導体レーザーと、
前記第1の半導体レーザーと前記第2の半導体レーザーとの間に介在する絶縁層と、
を備え、
前記第1の半導体レーザーは、
前記基板上方に設けられた第1の第1導電型クラッド層と、
前記第1の第1導電型クラッド層の上方に設けられた第1の発光層と、
前記第1の発光層の上方に設けられた第1の第2導電型クラッド層と、
前記第1の第2導電型クラッド層の上方における第1の領域に設けられた第1のリッジと、
前記第1の第1導電型クラッド層に電気的に接続された第1の第1導電型電極と、
前記第1の第2導電型クラッド層に電気的に接続された第1の第2導電型電極と、
を有し、
前記絶縁層は、
前記第1の第2導電型クラッド層の上方における第2の領域に配置され、
前記第2の半導体レーザーは、
前記絶縁層の上方に設けられた第2の第1導電型クラッド層と、
前記第2の第1導電型クラッド層の上方に設けられた第2の発光層と、
前記第2の発光層の上方に設けられた第2の第2導電型クラッド層と、
前記第2の第2導電型クラッド層の上方に設けられた第2のリッジと、
前記第2の第1導電型クラッド層に電気的に接続された第2の第1導電型電極と、
前記第2の第2導電型クラッド層に電気的に接続された第2の第2導電型電極と、
を有する半導体レーザー装置。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (13):
5F173AA08
, 5F173AA16
, 5F173AD06
, 5F173AG05
, 5F173AG17
, 5F173AG21
, 5F173AH22
, 5F173AK21
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP36
, 5F173AR93
, 5F173AR94
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