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J-GLOBAL ID：201403044079619321

SiC単結晶の製造装置及び製造方法

Inventor： 楠 一彦 ,  亀井 一人 ,  矢代 将斉 ,  岡田 信宏 ,  大黒 寛典 ,  加渡 幹尚 ,  坂元 秀光
Applicant, Patent owner： 新日鐵住金株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (5)： 上羽 秀敏 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛 ,  川上 桂子 ,  吉永 元貴
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013520608
Patent number：5628426
Application date： Jun. 15, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 SiC単結晶の製造装置であって、 Si-C溶液を収容する坩堝と、 SiC種結晶が取り付けられる下端面を有するシードシャフトとを備え、 前記シードシャフトは、 内側に第1流路を形成する内管と、 前記内管を収容し、前記内管との間に第2流路を形成する外管と、 前記外管の下端開口を覆い、前記下端面を有する底部とを備え、 前記第1流路及び前記第2流路のうち、一方の流路は冷却ガスが下方に流れる導入流路であり、他方の流路は前記冷却ガスが上方に流れる排出流路であり、 前記シードシャフトの軸方向から見て、前記SiC種結晶の60%以上の領域が、前記導入流路を形成する管の内側の領域に重なる、製造装置。

IPC (3)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 19/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/208 ( 200 6.01)

FI (3)：

C30B 29/36 A ,  C30B 19/06 Z ,  H01L 21/208 Z