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J-GLOBAL ID：201403044751321719
シリコンウェーハ中に存在する原子空孔濃度の定量評価方法及びシリコンウェーハの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
牛木 護
, 小合 宗一
, 高橋 知之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011529866
Patent number：5425914
Application date： Aug. 19, 2010
Claim (excerpt)：
【請求項1】シリコンウェーハを一定の極低温の温度に保持したまま、前記シリコンウェーハに外部磁場を印加した状態で、超音波パルスを発振すると共に、前記超音波パルスを前記シリコンウェーハ中に伝搬させた測定波パルスを受信し、前記超音波パルスと前記測定波パルスとの位相差を検出する検出工程と、
前記位相差から弾性定数を算出する算出工程と
を備え、
温度一定の状態で、前記外部磁場を変化させて、当該外部磁場の変化に対応した前記弾性定数の変化量を測定し、
(C(T,H)は弾性定数、Nは原子空孔濃度、C0Tはバックグラウンド、gは四極子歪み相互作用の結合定数、g’は四極子間相互作用の結合定数、Tは温度、Hは外部磁場、kBはボルツマン定数、E(H)は、ある量子状態のエネルギー準位、O(H)はある量子状態の四極子)の関係に基づいて、前記シリコンウェーハ中の原子空孔濃度を評価する
ことを特徴とする定量評価方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 29/04 ( 200 6.01)
, G01N 29/00 ( 200 6.01)
H01L 21/66 N
, G01N 29/08 506
, G01N 29/18
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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