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J-GLOBAL ID：201403046339050770

カーボンナノチューブ用レセプタ-触媒成長工程

Inventor： ラフディ,カリド ,  リー,リンチェン ,  ボーレ,マシュー,シー ,  ラグノフ,アレクサンドル
Applicant, Patent owner： ユニバーシティ・オブ・デイトン
Agent (1)： 末成 幹生
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014515910
Publication number (International publication number)：2014523385
Application date： Jun. 12, 2012
Publication date： Sep. 11, 2014
Summary：

基材を酸化性ガスに暴露し、基材上にシード材料を蒸着して基材表面上に触媒用レセプターを形成し、基材表面上のレセプタを触媒蒸気に暴露することによりシード材料上に触媒を蒸着し、基材に対してカーボン含有ガス中において化学気相蒸着を行い、基材上にカーボンナノ材料を成長させる基材上のカーボンナノ材料の成長方法。

Claim (excerpt)：

表面を有する基材を用意する工程と、 基材表面の少なくとも一部を酸化ガスに曝す工程と、 触媒用レセプタを形成するために基材表面にシード材料を蒸着する工程と、 基材表面上のレセプタを触媒の蒸気に曝すことによりシード材料上に触媒を蒸着する工程と、 カーボンナノ材料の成長を引き起こすためにカーボン含有ガス中において基材表面上の触媒に化学気相蒸着を施す工程とを備えることを特徴とする基材上のカーボンナノ材料の成長方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 ,  B01J 23/745 ,  B01J 37/02 ,  D01F 9/127

FI (4)：

C01B31/02 101F ,  B01J23/74 301M ,  B01J37/02 301P ,  D01F9/127

F-Term (51)：

4G146AA01 ,  4G146AA11 ,  4G146AA19 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146AD17 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA26 ,  4G146DA27 ,  4G146DA40 ,  4G146DA43 ,  4G146DA50 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA11 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC16B ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BD02C ,  4G169BD04C ,  4G169CB81 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FA03 ,  4G169FB03 ,  4G169FB40 ,  4G169FC04 ,  4L037CS03 ,  4L037PA03 ,  4L037PA11