ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：下田一弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012201456
Publication number (International publication number)：2014056962
Application date： Sep. 13, 2012
Publication date： Mar. 27, 2014
Summary：

【課題】耐久性の劣る色素増感型太陽電池や耐光性、耐湿性に劣る有機薄膜太陽電池に代替する固体接合型太陽電池を提供する。【解決手段】透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極層からなる一対の透明電極基板間に光電変換層を有する光電変換素子であって、前記光電変換層が前記電極基板上に、有機無機混成ペロブスカイト化合物Aを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第1半導体層と、無機ペロブスカイト化合物Bおよび/または有機無機混成ペロブスカイト化合物Cを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第2半導体層とを、接合した固体接合型光電変換素子。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極層からなる一対の透明電極基板間に光電変換層を有する光電変換素子であって、前記光電変換層が前記電極基板上に、下記一般式(1)または(2)のいずれかに示す有機無機混成ペロブスカイト化合物Aを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第1半導体層と、下記一般式(3)に示す無機ペロブスカイト化合物Bおよび/または下記一般式(4)若しくは(5)に示す有機無機混成ペロブスカイト化合物Cを被膜形成または吸着させたカーボンナノチューブ層からなる第2半導体層とを、接合したものであることを特徴とする固体接合型光電変換素子。 CH3NH3M1X3 (1) (式中、M1は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) (R1NH3)2M1X4 (2) (式中、R1は炭素数2以上のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、複素環基または芳香族複素環基であり、M1は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) CsM2X3 (3) (式中、M2は、2価の金属イオンであり、Xは、F,Cl,Br,Iである。) CH3NH3SnX3 (4) (式中、Xは、F,Cl,Br,Iである。) (R2NH3)2SnX4 (5) (式中、R2は炭素数2以上のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、複素環基または芳香族複素環基であり、Xは、F,Cl,Br,Iである。)

IPC (2)：

H01L 51/42 , H01L 31/06

FI (2)：

H01L31/04 D , H01L31/04 E

F-Term (13)：

5F151AA10 , 5F151AA11 , 5F151CB13 , 5F151CB15 , 5F151EA09 , 5F151EA14 , 5F151EA15 , 5F151FA04 , 5F151FA06 , 5F151FA16 , 5F151FA17 , 5F151GA03 , 5F151JA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ナノ粒子により増感させたカーボンナノチューブを含む光起電装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-501744 Applicant：ソレクサント・コーポレイション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Lead Iodide Perovskite Sensitized All-Solid-State Submicron Thin Film Mesoscopic Solar Cell with Eff

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