SiC単結晶の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：上羽秀敏 , 松山隆夫 , 坂根剛 , 川上桂子 , 竹添忠 , 吉永元貴
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013081376
Publication number (International publication number)：2014201508
Application date： Apr. 09, 2013
Publication date： Oct. 27, 2014
Summary：

【課題】単結晶の質を向上させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施の形態によるSiC単結晶の製造方法は、準備工程と、生成工程と、成長工程とを備える。準備工程では、Si-C溶液の原料が収容される坩堝と、坩堝の側壁の周囲に配置される高周波コイルとを含む製造装置を準備する。生成工程では、坩堝内の原料を高周波コイルで加熱して溶融し、Si-C溶液を生成する。成長工程では、Si-C溶液にSiC種結晶を接触させ、SiC種結晶上でSiC単結晶を成長させる。成長工程は、維持工程を含む。維持工程では、坩堝及び高周波コイルの少なくとも一方を他方に対して高さ方向に相対移動させ、Si-C溶液の液面と高周波コイルの高さ中心との高さ方向における離隔距離の変動幅を所定の範囲内に維持する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

溶液成長法によりSiC単結晶を製造する製造方法であって、 Si-C溶液の原料が収容される坩堝と、前記坩堝の側壁の周囲に配置される高周波コイルとを含む製造装置を準備する準備工程と、前記坩堝内の原料を前記高周波コイルで加熱して溶融し、前記Si-C溶液を生成する生成工程と、前記Si-C溶液に前記SiC種結晶を接触させ、前記SiC種結晶上で前記SiC単結晶を成長させる成長工程とを備え、前記成長工程は、前記坩堝及び前記高周波コイルの少なくとも一方を他方に対して高さ方向に相対移動させ、前記Si-C溶液の液面と前記高周波コイルの高さ中心との高さ方向における離隔距離の変動幅を所定の範囲内に維持する維持工程を含む、SiC単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 19/10 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B29/36 A , C30B19/10 , H01L21/208 L

F-Term (21)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077ED01 , 4G077ED06 , 4G077EG05 , 4G077EG11 , 4G077EG12 , 4G077EG18 , 4G077EH06 , 4G077QA04 , 4G077QA54 , 4G077QA56 , 4G077QA62 , 4G077QA71 , 5F053AA12 , 5F053BB44 , 5F053DD02 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

SiC単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-033949 Applicant：トヨタ自動車株式会社
SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶ウエハ及びSiC半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-265717 Applicant：住友金属工業株式会社, 三菱電機株式会社
炭化硅素結晶の液相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-288946 Applicant：三菱電線工業株式会社

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