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J-GLOBAL ID：201403052149199220

金属ペースト充填方法及び金属ペースト充填装置

Inventor： 中村 充一 ,  原田 宗生 ,  飯田 到 ,  渡辺 真二郎
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013026716
Publication number (International publication number)：2014157863
Application date： Feb. 14, 2013
Publication date： Aug. 28, 2014
Summary：

【課題】半導体基板に被着されるマスクの開口つまり底に電極が在る非貫通孔にマイクロバンプ用の金属ペーストを十全かつ効率的に充填すること。【解決手段】この金属ペースト充填装置は、密閉可能なチャンバ10内で半導体ウエハWを水平に載置するステージ12と、このステージ12の上方に回転可能に設けられる長尺型のノズル14と、ステージ12を上下移動させるためのステージ昇降機構16と、ノズル14に金属ペーストを加圧して供給するための金属ペースト供給部18と、チャンバ10内を排気して減圧するための排気装置20と、チャンバ10内を減圧状態から大気圧状態または陽圧状態に切り換えるためのパージガス供給部22と、装置内の各部の動作および全体のシーケンスを制御するコントローラ24とを備えている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に設けられた電極にマイクロバンプを形成するために、前記半導体基板に被着されるマスクの前記電極と重なる位置に形成される非貫通孔に金属ペーストを充填する方法であって、 減圧された空間内で、前記半導体基板に被着されている前記マスクに対して所定のギャップを保ちながら相対的に移動するノズルの吐出口より金属ペーストを吐出させて、前記マスク上に金属ペーストを塗布する第1の工程と、 前記マスク上に塗布された前記金属ペーストを大気圧または陽圧の下で前記非貫通孔に埋め込む第2の工程と を有する金属ペースト充填方法。

IPC (1)：

H01L 21/60

FI (1)：

H01L21/92 604E