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J-GLOBAL ID：201403055515280787

光電変換素子及び固体撮像装置

Inventor： 二瓶 あゆみ ,  村田 昌樹 ,  小林 典仁
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (3)： 山本 孝久 ,  吉井 正明 ,  森 幸一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010156643
Publication number (International publication number)：2012019132
Patent number：5454394
Application date： Jul. 09, 2010
Publication date： Jan. 26, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 (a-1)離間して設けられた第1電極及び第2電極、並びに、 (a-2)第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、 を備え、 光電変換材料層は、以下の構造式(1)で表されるジオキサアンタントレン系化合物から成る光電変換素子。 但し、R3及びR9の内の少なくとも1つは水素以外の置換基であり、 水素以外の該置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、チオカルボニル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、イソシアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボン酸シアニド基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、ホルミル基、チオホルミル基、ヒドラジド基、ヒドロキシ基、スルファニル基、スルホ基、及び、シリル基から成る群から選択された置換基である。

IPC (2)：

H01L 51/42 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 31/08 T ,  H01L 27/14 C