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J-GLOBAL ID：201403061515438232

半導体装置

Inventor： 金子 健太郎 ,  人羅 俊実 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： ROCA株式会社
Agent (3)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013212623
Publication number (International publication number)：2014072533
Application date： Oct. 10, 2013
Publication date： Apr. 21, 2014
Summary：

【課題】良質なコランダム型結晶膜を形成する半導体装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置が提供される。コランダム型の結晶構造を持つ材料のなかには酸化膜が多く含まれ、絶縁膜としての機能を果たすことができることのみならず、下地基板、半導体層および絶縁膜がすべてコランダム型の結晶構造を有していることにより下地基板上に良質な半導体層、絶縁膜を実現することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/24 ,  C30B 29/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L29/24 ,  C30B29/22 501A ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 301B

F-Term (35)：

4G077AA03 ,  4G077BC11 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  5F045AB40 ,  5F045AF09 ,  5F045BB17 ,  5F045DA62 ,  5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140AA34 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F152LN02 ,  5F152LN14 ,  5F152LN19 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN19 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-241761   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜、半導体素子、半導体装置およびそれらの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-255776   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特許第4083396号