シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：牛木護 , 高橋知之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013232353
Publication number (International publication number)：2014168043
Application date： Nov. 08, 2013
Publication date： Sep. 11, 2014
Summary：

【課題】シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値を決定するための新たな方法を提供する。【解決手段】シリコン試料の弾性定数の低温ソフト化量ΔC44/C44を測定する測定工程と、測定工程で測定された低温ソフト化量ΔC44/C44に基いてシリコンウェーハ中の原子空孔濃度Nの絶対値を決定する決定工程とを備えた。決定工程において、低温ソフト化量ΔC44/C44=1×10-4に対して原子空孔濃度N=(1.5±0.2)×1013/cm3が相当することに基いて原子空孔濃度Nを決定する。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

シリコン試料の弾性定数の低温ソフト化量ΔC44/C44を測定する測定工程と、この測定工程で測定された前記低温ソフト化量ΔC44/C44に基いてシリコンウェーハ中の原子空孔濃度Nの絶対値を決定する決定工程とを備えたことを特徴とするシリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 , G01N 29/00

FI (2)：

H01L21/66 N , G01N29/18

F-Term (24)：

2G047AA08 , 2G047AB04 , 2G047AC10 , 2G047AD07 , 2G047AD20 , 2G047BA01 , 2G047BB01 , 2G047BB04 , 2G047BC02 , 2G047BC15 , 2G047BC20 , 2G047CB02 , 2G047EA08 , 2G047GF06 , 2G047GG29 , 2G047GG33 , 2G047GJ28 , 4M106AA01 , 4M106BA20 , 4M106CA70 , 4M106CB19 , 4M106DH20 , 4M106DH45 , 4M106DJ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-053229 Applicant：国立大学法人新潟大学, 富士通株式会社, 株式会社SUMCO
特開平1-098960
特開平3-129748

Show all

Return to Previous Page