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J-GLOBAL ID：201403066720797727
半導体特性測定装置
石川 洋平
, About 石川 洋平
活田 健治
, About 活田 健治
荻島 真澄
About 荻島 真澄
Applicant, Patent owner：
独立行政法人国立高等専門学校機構
About 独立行政法人国立高等専門学校機構
Agent (1)： 平井 安雄
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011266239
Publication number (International publication number)：2013117496
Patent number：5618158
Application date： Dec. 05, 2011
Publication date： Jun. 13, 2013
Claim (excerpt)：
【請求項1】 電気素子を着脱自在に接続可能なコネクタであって、複数の前記コネクタが電気的に導通した状態で配設されている複数のコネクタユニットと、
前記コネクタユニットに配設される前記コネクタに接続すると共に、半導体チップのパッドに接触して前記コネクタと前記半導体チップとを電気的に接続するプローブ針と、
前記半導体チップから入力された信号を、前記コネクタユニットのコネクタを経由して、前記半導体チップの電気特性を測定するテスタに出力する出力部とを備え、
前記電気素子が、異なる前記コネクタユニットにおけるそれぞれのコネクタを橋絡して、前記コネクタユニットの間を前記電気素子を介して電気的に接続すると共に、前記半導体チップのパッドと前記出力部との間を複数の前記電気素子を介して電気的に接続し、
複数の前記コネクタユニットが、隣接して配設される当該コネクタユニットにおけるそれぞれの前記コネクタ間が、少なくとも一の共通する共通距離を有するように配設されると共に、前記電気素子が、前記コネクタに係合する嵌合部を有し、当該嵌合部間の距離が、異なる前記コネクタユニット間で隣接して配設される前記コネクタ間の前記共通距離の整数倍の距離であることを特徴とする半導体特性測定装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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