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J-GLOBAL ID：201403073868082880
シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
牛木 護
, 高橋 知之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013232352
Publication number (International publication number)：2014168042
Application date： Nov. 08, 2013
Publication date： Sep. 11, 2014
Summary：
【課題】シリコンウェーハ表層中の原子空孔を評価するための新たな方法と装置を提供する。【解決手段】シリコン試料6の同一面に圧電薄膜29,30を介して一対の櫛状の櫛状電極31,32を形成する素子形成工程と、シリコン試料6を冷却して外部磁場を印加しながら櫛状電極の一方31から超音波パルスを発振するとともにシリコン試料6の表面を伝播した超音波パルスを櫛状電極の他方32により受信し、櫛状電極の一方31から発振された超音波パルスと櫛状電極の他方32により受信された超音波パルスとの位相差を検出する検出工程と、位相差に基づきシリコン試料6の表層の弾性定数を求め、温度に対する弾性定数の変化又は磁場強度に対する弾性定数の変化に基づいてシリコン試料6の表層中の原子空孔を評価する評価工程とを備えた。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
シリコン試料の同一表面上に対向した一対の表面超音波素子を形成する素子形成工程と、前記シリコン試料を冷却して外部磁場を印加しながら前記表面超音波素子の一方から超音波パルスを発振するとともに前記シリコン試料の表面を伝播した超音波パルスを前記表面超音波素子の他方により受信し、前記表面超音波素子の一方から発振された超音波パルスと前記表面超音波素子の他方により受信された超音波パルスとの位相差を検出する検出工程と、前記位相差に基づき前記シリコン試料の表層の弾性定数Csを求め、温度に対する弾性定数Csの変化又は磁場強度に対する弾性定数Csの変化に基づいて前記シリコン試料の表層中の原子空孔濃度Nを評価する評価工程とを備えたことを特徴とするシリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (19)：
2G047AA09
, 2G047AB04
, 2G047AC10
, 2G047AD01
, 2G047BA01
, 2G047BC02
, 2G047BC08
, 2G047BC14
, 2G047CA01
, 2G047CB03
, 2G047GB17
, 2G047GG29
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA20
, 4M106CB19
, 4M106DH20
, 4M106DH45
, 4M106DJ02
Cited by examiner (2)
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シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-053229
Applicant：国立大学法人新潟大学, 富士通株式会社, 株式会社SUMCO
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薄膜の評価方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-197273
Applicant：セイコーエプソン株式会社
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