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J-GLOBAL ID：201403076727705300

成膜装置

Inventor： 金田 英樹 ,  篠田 健太郎 ,  滝 和也 ,  上坂 裕之 ,  高岡 泰之
Applicant, Patent owner： ブラザー工業株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学
Agent (1)： 特許業務法人ネクスト
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013069710
Publication number (International publication number)：2014189897
Application date： Mar. 28, 2013
Publication date： Oct. 06, 2014
Summary：

【課題】負電圧印加端子部材に接続されている配線等への表面波の伝搬を抑制し、エネルギーの無駄な消費を抑えることができる成膜装置を提供する。【解決手段】導電性を有する被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を被加工材料に印加する負電圧印加部と、マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大されたシース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、マイクロ波供給口に対して被加工材料の少なくとも一部を挟む位置に設けられ、負電圧印加部によって印加される負のバイアス電圧を被加工材料に印加させる負電圧印加端子部材と、負電圧印加端子部材の外周部からシース層のシース厚さ方向に突出して設けられ、シース層内を伝搬するマイクロ波に対して反射能を有する表面波制御部材と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導電性を有する被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、 前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、 前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、 前記マイクロ波供給口に対して前記被加工材料の少なくとも一部を挟む位置に設けられ、前記負電圧印加部によって印加される負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加させる負電圧印加端子部材と、 前記負電圧印加端子部材の外周部から前記シース層のシース厚さ方向に突出して設けられ、前記シース層内を伝搬する前記マイクロ波に対して反射能又は吸収能を有する表面波制御部材と、 を備えることを特徴とする成膜装置。

IPC (2)：

C23C 16/511 ,  H05H 1/46

FI (2)：

C23C16/511 ,  H05H1/46 B

F-Term (13)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030CA16 ,  4K030FA01 ,  4K030KA15 ,  4K030KA18 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46