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J-GLOBAL ID：201403076782251700

トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気メモリセル並びに磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： 山ノ内 路彦 ,  黒崎 洋輔 ,  早川 純 ,  高橋 宏昌
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： ポレール特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012515645
Patent number：5386637
Application date： May. 20, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 電界により磁化方向が制御可能な、反強磁性の性質を備えた電界磁化制御層と、 絶縁層と前記絶縁層を挟んで設けられた強磁性固定層と強磁性記録層とを備え、前記電界磁化制御層と電気的に並列接続された磁気抵抗効果検出構造と、 前記電界磁化制御層に電圧が印加されていない状態で、前記強磁性固定層の磁化容易軸となす角度が±10度以内の磁化容易軸を備え、前記電界磁化制御層と接触して交換結合すると共に、前記強磁性記録層へ有効磁場を印加する強磁性層と、を有する特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (7)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01F 10/32 ( 200 6.01) ,  H01F 10/18 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 27/10 447 ,  H01L 29/82 Z ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/18