Pat

J-GLOBAL ID：201403076921987309

AlN単結晶の製造方法

Inventor： 松原 弘明 ,  水野 恒平 ,  宇治原 徹 ,  木藤 泰男
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 特許業務法人 サトー国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012252291
Publication number (International publication number)：2014101235
Application date： Nov. 16, 2012
Publication date： Jun. 05, 2014
Summary：

【課題】欠陥の少ない高品質なAlN単結晶を大きな成長速度で安価に製造する。【解決手段】横型の成長炉2を用い、Cu-Ti-Al-Siを成分とする溶液10と、表面を窒化していないサファイア基板9とを用い、サファイア基板9上にAlN単結晶11を溶液法により成長させる。安価な表面を窒化していないサファイア基板9を用いるので、AlN単結晶11を安価に製造できる。横型の成長炉2を用いるので、サファイア基板9の表面の一部が部分的に溶解して凹部12が生成されると、その凹部12を覆うようにAlN単結晶11を水平方向に成長させることができ、空隙13を形成できる。その結果、その空隙13によりサファイア基板9とAlN単結晶11との界面に発生する応力が緩和され、AlN単結晶11中に発生する欠陥を低減できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

横型の成長炉(2)を用い、成分aがCr、Mn、Fe、Co、Cu及びNiから選択した1種以上の金属、成分bがSc、Ti、V、Y、Zr及びNbから選択した1種以上の金属、成分cがAl、成分dがSiであるabcd系合金の溶液(10)と、表面を窒化していないサファイア基板(9)とを用い、前記サファイア基板(9)上にAlN単結晶(11)を溶液法により成長させ、AlN単結晶(11)を製造することを特徴とするAlN単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 19/04 ,  C30B 29/38

FI (2)：

C30B19/04 ,  C30B29/38 C

F-Term (19)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CG03 ,  4G077CG07 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077EG18 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA15 ,  4G077QA06 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71 ,  4G077QA79