Pat

J-GLOBAL ID：201403082054323338

不揮発性記憶装置

Inventor： 才田 大輔 ,  下村 尚治 ,  天野 実 ,  北川 英二 ,  鈴木 義茂
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012213275
Publication number (International publication number)：2014067929
Application date： Sep. 26, 2012
Publication date： Apr. 17, 2014
Summary：

【課題】安定した動作の不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、記憶部と制御部とを備えた不揮発性記憶装置が提供される。記憶部は、積層体を含む磁気記憶素子と磁界印加部とを含む。積層体は、第1及び第2強磁性層と非磁性層とを含む。第2強磁性層の磁化の方向は変化可能である。磁界印加部は、積層方向に対して垂直な方向の成分を含む磁界を第2強磁性層に印加する。制御部は、第1及び第2強磁性層の間の電圧を変化させる。第2強磁性層の異方性磁界の積層方向の成分の変化をΔH、第2強磁性層の積層方向の異方性磁界をHu、磁界印加部の磁界をHext、第2強磁性層の面内方向の異方性磁界をHdxとする。磁界印加部の磁界は、 【数1】 で表される条件を満足する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化の方向が固定された第1強磁性層と、 磁化の方向が変化可能な第2強磁性層と、 前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、 を含み、前記第1強磁性層、前記第2強磁性層及び前記第1非磁性層が積層方向に積層された積層体を含む磁気記憶素子と、 前記積層方向に対して垂直な第1面内方向の成分を含む磁界を前記第2強磁性層に印加する磁界印加部と、 を含む記憶部と、 前記磁気記憶素子と電気的に接続され、前記磁気記憶素子の前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間の電圧を第1設定電圧から第2設定電圧に変化させる設定動作を実施する制御部と、 を備え、 前記第1設定電圧から前記第2設定電圧に変化させたときの前記第2強磁性層の異方性磁界の前記積層方向の成分の変化をΔH(エルステッド)とし、 前記第1設定電圧のときの前記第2強磁性層の異方性磁界の前記積層方向の成分をHu(エルステッド)とし、 前記磁界印加部の印加する前記磁界の前記第1面内方向の成分をHext(エルステッド)とし、 前記第1設定電圧のときの前記第2強磁性層の異方性磁界の前記第1面内方向の成分をHdx(エルステッド)とするとき、 前記磁界印加部の印加する前記磁界は、

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

F-Term (20)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD17 ,  5F092AC12 ,  5F092AD13 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD28 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB90 ,  5F092BC12 ,  5F092GA03