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J-GLOBAL ID:201403082966144981

放射性同位元素の製造方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 利夫
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2010008606
Publication number (International publication number):2010223942
Patent number:5522566
Application date: Jan. 18, 2010
Publication date: Oct. 07, 2010
Claim (excerpt):
【請求項1】重水素又は陽子よりなる荷電粒子ビームを加速するために電圧を印加する電源、前記電源からの電圧が印加され、前記荷電粒子ビームを加速する加速管、及び、加速器出射部に設けられるとともに、3重水素を吸蔵したチタンの高速中性子発生用ターゲットが配置されて、これに加速された前記荷電粒子ビームが照射され高速中性子を発生する高速中性子発生部を備え、(i)下記(n,2n)反応の場合は、(n,2n)反応の閾値に0.5MeVを加えた値[単位:MeV]を下限値とし、下限値以外のエネルギー値における(n,2n)反応の反応断面積が下限値における(n,2n)反応の反応断面積と等しくなるエネルギー値を上限値とする範囲内、(ii)下記(n,p)反応の場合は、(n,p)反応の閾値に、気体原料ターゲットの原子番号(Z)に0.10[単位:MeV/陽子の数]を乗じて得られる数及び0.2[単位:MeV]を加えた値[単位:MeV]を下限値とし、下限値以外のエネルギー値における(n,p)反応の反応断面積が下限値における(n,p)反応の反応断面積と等しくなるエネルギー値を上限値とする範囲内、(iii)下記(n,np)反応の場合には、(n,np)反応の閾値に、気体原料ターゲットの原子番号(Z)に0.10[単位:MeV/陽子の数]を乗じて得られる数及び0.2[単位:MeV]を加えた値[単位:MeV]を下限値とし、下限値以外のエネルギー値における(n,np)反応の反応断面積が下限値における(n,np)反応の反応断面積と等しくなるエネルギー値を上限値とする範囲内、(iv)下記(n,n’)反応の場合には、(n,n’)反応の閾値に0.15MeVを加えた値[単位:MeV]を下限値とし、下限値以外のエネルギー値における(n,n’)反応の反応断面積が下限値における(n,n’)反応の反応断面積と等しくなるエネルギー値を上限値とする範囲内のエネルギー値を有する高速中性子を発生させる程度の規模の小型加速器を用い、 前記荷電粒子ビーム照射によって発生させた高速中性子を、試料容器を封入した気体原料ターゲットに照射し、気体原料ターゲットの種類に応じて下記のいずれかの反応を起させ、放射性同位元素を生成させることを特徴とする放射性同位元素の製造方法。 (1)(n,2n)反応:1個の中性子の照射により2個の中性子を放出する反応 (2)(n,p)反応:1個の中性子の照射により1個の陽子を放出する反応 (3)(n,np)反応:1個の中性子の照射により1個の中性子と1個の陽子を放出する反応 (4)(n,n’)反応:1個の中性子の照射により入射中性子のエネルギーと異なるエネルギーの1個の中性子を放出する反応
IPC (6):
G21G 1/06 ( 200 6.01) ,  G21K 5/08 ( 200 6.01) ,  G21K 5/02 ( 200 6.01) ,  G21G 1/10 ( 200 6.01) ,  H05H 3/06 ( 200 6.01) ,  H05H 6/00 ( 200 6.01)
FI (8):
G21G 1/06 ,  G21K 5/08 A ,  G21K 5/08 N ,  G21K 5/08 R ,  G21K 5/02 N ,  G21G 1/10 ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • Ni同位核からのサブ・クーロン障壁陽子の放出
Cited by examiner (2)
  • Ni同位核からのサブ・クーロン障壁陽子の放出
  • Ni同位核からのサブ・クーロン障壁陽子の放出

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