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J-GLOBAL ID:201403085100041325
湾曲結晶の製造方法および湾曲結晶
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
杉村 憲司
, 鈴木 治
, 山口 雄輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012147355
Publication number (International publication number):2014009131
Application date: Jun. 29, 2012
Publication date: Jan. 20, 2014
Summary:
【課題】本発明は、所望の曲率を有する湾曲結晶を低コストで得ることのできる湾曲結晶の製造方法、および、所望の曲率を有する製造コストの低い湾曲結晶を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の湾曲結晶の製造方法は、結晶基板上に炭素系材料を直接蒸着して、前記結晶基板を湾曲させる工程を含むことを特徴とする。また、本発明の湾曲結晶は、上記の製造方法により製造されたことを特徴とするものである。【選択図】図1
Claim (excerpt):
結晶基板上に炭素系材料を直接蒸着して、前記結晶基板を湾曲させる工程を含むことを特徴とする、湾曲結晶の製造方法。
IPC (6):
C30B 33/00
, H01L 21/314
, G21K 1/06
, G21K 1/00
, C23C 14/06
, C23C 16/27
FI (7):
C30B33/00
, H01L21/314 A
, G21K1/06 D
, G21K1/06 C
, G21K1/00 X
, C23C14/06 F
, C23C16/27
F-Term (27):
4G077AA02
, 4G077AB10
, 4G077BA04
, 4G077BA05
, 4G077FJ02
, 4G077FJ06
, 4G077HA20
, 4K029BA34
, 4K029BB10
, 4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030CA04
, 4K030DA03
, 4K030FA03
, 5F058BA12
, 5F058BC14
, 5F058BD18
, 5F058BE04
, 5F058BF02
, 5F058BF05
, 5F058BF07
, 5F058BF11
, 5F058BF12
, 5F058BF18
, 5F058BF19
, 5F058BF26
, 5F058BJ01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
-
シリコン基板の反り変形方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-025646
Applicant:科学技術振興事業団
-
硬質物質被覆ウエハ-及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-165914
Applicant:住友電気工業株式会社
-
ダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-066992
Applicant:キヤノン株式会社
-
タペット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-138149
Applicant:川崎重工業株式会社
-
ウエハ-及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-162927
Applicant:住友電気工業株式会社
-
特開昭63-286334
-
被膜の形成方法、及び該被膜の形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-107885
Applicant:三洋電機株式会社
-
半導体積層構造体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-124936
Applicant:シャープ株式会社
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