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J-GLOBAL ID:201403088482982247

硫化/セレン化銅インジウムガリウムコーティングおよび膜を製造するためのインクおよび方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2013542175
Publication number (International publication number):2014502052
Application date: Dec. 01, 2011
Publication date: Jan. 23, 2014
Summary:
本発明は、硫化/セレン化銅インジウムガリウム(CIGS/Se)の分子前駆体と複数の粒子とを含むインクに関する。このインクは、基板上にCIGS/Seのコーティングおよび膜を製造するために有用である。そのような膜は、光起電デバイスの製造において有用である。また本発明は、コーティングされた基板および膜を製造するための方法、ならびに光起電デバイスを製造するための方法にも関する。
Claim (excerpt):
a)i)窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有する銅錯体、硫化銅、セレン化銅、およびそれらの混合物からなる群から選択される銅供給源、 ii)窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するインジウム錯体、硫化インジウム、セレン化インジウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるインジウム供給源、 iii)任意選択的に、窒素、酸素、炭素、硫黄またはセレンをベースとする有機配位子を有するガリウム錯体、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択されるガリウム供給源、および iv)液体カルコゲン化合物、溶媒またはそれらの混合物を含む媒体 を含むCIGS/Seの分子前駆体と、 b)CIGS/Se粒子、元素状Cu、InまたはGa含有粒子、2成分系または3成分系Cu、InまたはGa含有カルコゲニド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択される複数の粒子と を含むインク。
IPC (4):
H01L 21/20 ,  H01L 31/06 ,  C07C 49/92 ,  C09D 11/00
FI (4):
H01L21/20 ,  H01L31/04 E ,  C07C49/92 ,  C09D11/00
F-Term (24):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB76 ,  4H048VA56 ,  4J039BA13 ,  4J039BA18 ,  4J039BC59 ,  4J039EA48 ,  5F151AA10 ,  5F151CB13 ,  5F151CB24 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03 ,  5F151HA01 ,  5F152LL12 ,  5F152MM13 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NQ20

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