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J-GLOBAL ID：201403088928126730

疎水性修飾ポリロタキサン

Inventor： 伊藤 耕三 ,  荒木 潤 ,  鈴木 達也 ,  山中 雅彦 ,  渡邉 健太郎
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (1)： 的場 基憲
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009186545
Publication number (International publication number)：2009270119
Patent number：5463486
Application date： Aug. 11, 2009
Publication date： Nov. 19, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有するポリロタキサンにおいて、 上記環状分子がシクロデキストリンであり、当該シクロデキストリンの水酸基の一部または全部が修飾基で修飾され、その修飾基がカプロラクトンによる修飾基である(-CO(CH2)5OH)基であることを特徴とする疎水性修飾ポリロタキサン。

IPC (2)：

C08B 37/16 ( 200 6.01) ,  C08G 65/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

C08B 37/16 ,  C08G 65/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• アシル化シクロデキストリン誘導体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-521394   Applicant：ポリ-メド