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J-GLOBAL ID：201403090677292789

p型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法および該膜作成用の溶液の製造方法

Inventor： 永井 裕己 ,  鈴木 達也 ,  清野 千尋 ,  鷹野 一朗 ,  佐藤 光史
Applicant, Patent owner： 株式会社TFTECH
Agent (2)： 丹羽 宏之 ,  西尾 美良
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009275513
Publication number (International publication number)：2011119454
Patent number：5452196
Application date： Dec. 03, 2009
Publication date： Jun. 16, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】 銅アミノポリカルボン酸錯体および/または銅ポリカルボン酸錯体が溶解した溶液を基材表面にスピンコート法、ディップ法、バーコート法、フローコート法、スプレーコート法の内のいずれかの方法により塗布する工程、基板表面に溶液を塗布した後、溶媒を揮発させて所定の厚さに溶液組成物を乾燥する工程、および第18族の希ガス族、窒素から選ばれる単独かまたは2種以上を組み合わせた不活性ガス雰囲気の中で300°C〜700°Cで1分から3時間の熱処理する工程を含むp型半導体の性能を持つ酸化銅(I)膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  H01L 31/06 ( 201 2.01)

FI (2)：

H01L 21/368 Z ,  H01L 31/04 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 金属酸化物半導体薄膜の製造方法および金属酸化物半導体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-031568   Applicant：株式会社高純度化学研究所, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 酸化銅系半導体薄膜の製造方法および酸化銅系半導体薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-124457   Applicant：株式会社日本触媒