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J-GLOBAL ID：201403092296346184

MEM構造解析により価電子密度分布を求める方法

Inventor： 田中 宏志 ,  高田 昌樹
Applicant, Patent owner： 公益財団法人高輝度光科学研究センター
Agent (6)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  富田 博行 ,  星野 修 ,  松山 美奈子 ,  森下 梓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012275806
Publication number (International publication number)：2014119378
Application date： Dec. 18, 2012
Publication date： Jun. 30, 2014
Summary：

【課題】X線回折データからMEM構造解析により詳細な価電子密度分布を実験的にもとめ、様々な物質の結合状態を原子レベルで明らかにする方法を提供する。【解決手段】X線回折データに対する結晶原子の内殻電子による寄与を、孤立原子の内殻電子による寄与の重ね合わせで近似し、実験的に得られるX線回折データから差し引くことで価電子による寄与を求め、これにMEM構造解析を行うことで価電子密度分布を求める。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

最大エントロピー法(MEM)を用いて結晶物質のX線回折データから前記結晶物質の価電子密度分布を求める計算方法。

IPC (1)：

G01N 23/207

FI (1)：

G01N23/207

F-Term (8)：

2G001AA01 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001GA01 ,  2G001GA13 ,  2G001HA07 ,  2G001KA08 ,  2G001KA13