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J-GLOBAL ID：201403093126738076

グラフェンの製造方法

Inventor： 能澤 克弥 ,  吉井 重雄
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (3)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012201157
Publication number (International publication number)：2014055086
Application date： Sep. 13, 2012
Publication date： Mar. 27, 2014
Summary：

【課題】グラフェンを電子素子作製に利用した場合、グラフェンの層数は電子素子の特性に影響を与える。そのため、グラフェンの層数は均一であることが求められる。グラフェン成長は、触媒金属表面の結晶状態に大きく影響を受ける。そのため、均一なグラフェン成長のためには、触媒金属は単結晶であることが望まれる(例えば特許文献1参照)。前記従来の結晶性基板上に金属膜の単結晶を成長する方法では、均一なグラフェン成長を実現する結晶性基板と金属の組み合わせが限定されていた。【解決手段】MgおよびAlが酸素間に配位したスピネル単結晶基板上に銅の単結晶膜を成長させたものを基板とし、グラフェンを成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

MgおよびAlが酸素間に配位しその比率が1:2であるスピネル単結晶(111)面基板上に、銅の単結晶膜を成長させたものを触媒とし、炭素を含む原料ガスによりCVD法によりグラフェンの成長を行うことを特徴とするグラフェンの製造方法。

IPC (8)：

C01B 31/02 ,  B01J 23/72 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (8)：

C01B31/02 101Z ,  B01J23/72 M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E

F-Term (43)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC17B ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC48 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA01A ,  4G169BA01B ,  4G169BA06A ,  4G169BA06B ,  4G169BA20A ,  4G169BA20B ,  4G169BC31A ,  4G169BC31B ,  4G169CB81 ,  4G169DA05 ,  4G169EA07 ,  4G169EC24 ,  4G169FA01 ,  4G169FB02 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110QQ17