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J-GLOBAL ID:201403097227290314
光変復調デバイス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (2):
岡田 賢治
, 今下 勝博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013036421
Publication number (International publication number):2014164195
Application date: Feb. 26, 2013
Publication date: Sep. 08, 2014
Summary:
【課題】本発明は、グラフェンを利用してテラヘルツの周波数領域で動作する光変復調デバイスの変復調効率の向上を目的とする。【解決手段】本発明は、光導波路と、第一のグラフェン層と第二のグラフェン層とで絶縁膜を挟みこんだグラフェン二重層と、前記第一のグラフェン層の一端に接続された第一の金属電極と、前記第二のグラフェン層の一端に接続された第二の金属電極と、を備える光変復調デバイスであって、前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方は、前記光導波路における伝搬光の電界にて光励起キャリアが生成されるように配置され、前記絶縁膜は、前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方で生成された光励起キャリアが前記絶縁膜を透過して他方に注入される材料で構成されていることを特徴とする光変復調デバイスである。【選択図】図6
Claim (excerpt):
光導波路と、
第一のグラフェン層と第二のグラフェン層とで絶縁膜を挟みこんだグラフェン二重層と、
前記第一のグラフェン層の一端に接続された第一の金属電極と、
前記第二のグラフェン層の一端に接続された第二の金属電極と、
を備える光変復調デバイスであって、
前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方は、前記光導波路における伝搬光の電界にて光励起キャリアが生成されるように配置され、
前記絶縁膜は、前記第一のグラフェン層及び前記第二のグラフェン層のうち少なくとも一方で生成された光励起キャリアが前記絶縁膜を透過して他方に注入される材料で構成されていることを特徴とする光変復調デバイス。
IPC (4):
G02F 1/025
, H01L 29/66
, H01L 29/06
, G02F 2/00
FI (5):
G02F1/025
, H01L29/66 L
, H01L29/06 601N
, G02F2/00
, H01L29/66 T
F-Term (14):
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EB05
, 2H079HA15
, 2K002AA02
, 2K002AB19
, 2K002CA13
, 2K002DA06
, 2K002EB02
, 2K002GA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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グラフェンを利用した光変調器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2012-224212
Applicant:三星電子株式会社
Article cited by the Patent:
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