物質導入方法およびその装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平井安雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013120148
Publication number (International publication number)：2014236679
Application date： Jun. 06, 2013
Publication date： Dec. 18, 2014
Summary：

【課題】電気穿孔法を用いて、電気的ダメージを抑制して導入物質を対象細胞に導入する物質導入方法を提供する。【解決手段】対象細胞の内部に導入物質を導入する物質導入方法は、正負に極性が変化する間に一定電位値レベルを所定時間維持してなる非対称の基準パルスが同一周期で繰り返されるバーストパルスを、導入物質を含有する溶液中に浸漬された対象細胞に対して、印加するバーストパルス印加工程と、前記バーストパルス印加工程による印加後、前記対象細胞に対して、前記バーストパルスを構成する基準パルスよりも高電圧且つ短時間の高電圧パルスを、1オン時間分印加する高電圧パルス印加工程とを含み、電気的ダメージを抑制して導入物質を対象細胞に導入する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

対象細胞の内部に導入物質を導入する物質導入方法において、正負に極性が変化する間に一定電位値レベルを所定時間維持してなる非対称の基準パルスが同一周期で繰り返されるバーストパルスを、導入物質を含有する溶液中に浸漬された対象細胞に対して、印加するバーストパルス印加工程と、前記バーストパルス印加工程による印加後、前記対象細胞に対して、前記バーストパルスを構成する基準パルスよりも高電圧且つ短時間の高電圧パルスを、1オン時間分印加する高電圧パルス印加工程とを含むことを特徴とする物質導入方法。

IPC (2)：

C12M 1/42 , C12N 15/09

FI (2)：

C12M1/42 , C12N15/00 A

F-Term (5)：

4B024AA20 , 4B024CA01 , 4B024GA14 , 4B029AA24 , 4B029BB11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

生体外遺伝子治療のためのフロースルー電気穿孔システム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-551845 Applicant：ジェネトロニクスインコーポレーテッド
電気パルスを発生するための装置および該装置を使用する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-521152 Applicant：イースタンバージニアメディカルスクール, オールドドミニオンユニバーシティー
特開平1-141584

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

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