Dai Okamoto

オカモトダイ | Dai Okamoto

Affiliation and department：
Job title： Assistant Professor
Homepage URL (1)： https://tpu-power.jp/

Research field (3)： Electric/electronic material engineering , Thin-film surfaces and interfaces , Electronic devices and equipment

Research keywords (7)：半導体工学 , デバイスプロセス , 半導体物理 , 絶縁膜技術 , MOS界面 , パワーデバイス , デバイス物理

Research theme for competitive and other funds (7)：

2023 - 2026 フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発
2020 - 2023 SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたNBTI現象の理解と抑制指針の提示
2021 - 2022 SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用
2016 - 2020 Fundamental research and development of low-loss p-type SiC superjunction power MOSFETs
2017 - 2020 新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用

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Papers (39)：

Mitsuru Sometani, Yusuke Nishiya, Ren Kondo, Rei Inohana, Hongyu Zeng, Hirohisa Hirai, Dai Okamoto, Yu-ichiro Matsushita, Takahide Umeda. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. APL Materials. 2023
Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Accurate Determination of Threshold Voltage Shift during Negative Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFETs by Fast On-the-fly Method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-060901
Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, et al. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method. Carbon. 2020. 168. 659-664
Hiroki Nemoto, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano. Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 4. 044003

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MISC (8)：

Junjie An, Masaki Namai, Mikiko Tanabe, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Experimental demonstration of -730V vertical SiC p-MOSFET with high short circuit withstand capability for complementary inverter applications. Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2017. 10.7.1-10.7.4
米澤喜幸, 水島智教, 竹中研介, 藤澤弘幸, 岡本光央, 吉川満, 松永慎一郎, 加藤智久, 岡本大, 原田信介, et al. 実用化に向けて加速するSiC半導体の周辺技術開発と次世代フェーズへの取り組み 16kV級超高耐圧SiC IE-IGBTの開発. 工業材料. 2014. 62. 3
Kenji Fukuda, Dai Okamoto, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Yoshiyuki Yonezawa, Tadayoshi Deguchi, Shuji Katakami, Hitoshi Ishimori, Shinji Takasu, Manabu Arai, et al. Development of Ultrahigh Voltage SiC Power Devices. 2014 INTERNATIONAL POWER ELECTRONICS CONFERENCE (IPEC-HIROSHIMA 2014 - ECCE-ASIA). 2014. 3440-3446
Tomonori Mizushima, Kensuke Takenaka, Hiroyuki Fujisawa, Tomohisa Kato, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Naoki Kumagai, et al. Dynamic Characteristics of Large Current Capacity Module using 16-kV Ultrahigh Voltage SiC Flip-Type n-channel IE-IGBT. 2014 IEEE 26TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & IC'S (ISPSD). 2014. 277-280
Kenji Fukuda, Dai Okamoto, Shinsuke Harada, Yasunori Tanaka, Yoshiyuki Yonezawa, Tadayoshi Deguchi, Shuji Katakami, Hitoshi Ishimori, Shinji Takasu, Manabu Arai, et al. Ultrahigh voltage SiC bipolar devices. 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, WiPDA 2013 - Proceedings. 2013. 32-35

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Books (1)：

Compound Semiconductor
Angel Business Communications publication 2017

Lectures and oral presentations (97)：

nチャネルSiC MOSFET に対する高温での周波数依存チャージポンピング特性の評価
(令和6年度応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2024)
pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性の特異的なチャネル依存性のTCADによる解析
(応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024)
pチャネルSiC MOSFETにおけるチャージポンピング電流の特異的な形状成分の解析
(応用物理学会先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024)
Physically Based Mobility Model for SiC MOSFETs in TCAD
(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM 2024) 2024)
nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討
(令和5年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会 2023)

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Professional career (2)：

Master of Engineering (Nara Institute of Science and Technology)
Ph.D. (Nara Institute of Science and Technology)

Work history (5)：

2021/04 - 現在 Toyama Prefectural University Faculty of Pure and Applied Sciences Assistant Professor
2021/08 - 2024/07 産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター客員研究員
2015/07 - 2021/03 University of Tsukuba
2011/04 - 2015/06 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Advanced Power Electronics Research Center Research Scientist
2009/04 - 2011/03 Japan Society for the Promotion of Science JSPS Research Fellow (DC2)

Committee career (18)：

2024 - 現在応用物理学会春季・秋季学術講演会プログラム編集委員
2025 - 2025 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2025) プログラム委員
2025 - 第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2024 - 第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会実行・プログラム委員
2023 - 令和5年度(2023年) 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会現地実行委員

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Awards (7)：

2020/12 - 応用物理学会先進パワー半導体分科会研究奨励賞(指導学生)
2019/12 - 応用物理学会先進パワー半導体分科会研究奨励賞(指導学生)
2010/05 - IEEE IMFEDK Best Paper Award
2010/02 - IEEE Kansai Section Student Paper Award
2009/12 - 応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会研究奨励賞

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Association Membership(s) (2)：

IEEE (Electron Devices Society) , The Japan Society of Applied Physics

※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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