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J-GLOBAL ID：201501013037750191   Update date: Mar. 11, 2024

Dai Okamoto

オカモト ダイ | Dai Okamoto
Affiliation and department：
Toyama Prefectural University Faculty of Pure and Applied Sciences

About Toyama Prefectural University Faculty of Pure and Applied Sciences


Job title： Assistant Professor
Homepage URL  (1)： https://tpu-power.jp/
Research field  (3)： Electric/electronic material engineering ,  Thin-film surfaces and interfaces ,  Electronic devices and equipment
Research keywords  (7)： 半導体工学 ,  デバイスプロセス ,  半導体物理 ,  絶縁膜技術 ,  MOS界面 ,  パワーデバイス ,  デバイス物理
Research theme for competitive and other funds  (7)：
  • 2023 - 2026 フッ素添加熱酸化法による高移動度・高信頼性SiC MOSFETの開発
  • 2020 - 2023 SiCパワーデバイスの高信頼化に向けたNBTI現象の理解と抑制指針の提示
  • 2021 - 2022 SiCパワーデバイスの高性能化を目指したフッ素添加熱酸化法の開発とトランジスタ応用
  • 2016 - 2020 Fundamental research and development of low-loss p-type SiC superjunction power MOSFETs
  • 2017 - 2020 新規前駆体熱酸化手法によるSiC絶縁膜界面制御技術の開発とトランジスタ応用
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Papers (39)：
  • Mitsuru Sometani, Yusuke Nishiya, Ren Kondo, Rei Inohana, Hongyu Zeng, Hirohisa Hirai, Dai Okamoto, Yu-ichiro Matsushita, Takahide Umeda. Energy levels of carbon dangling-bond center (PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. APL Materials. 2023
  • Tetsuo Hatakeyama, Hirohisa Hirai, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada. Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs. Journal of Applied Physics. 2022. 131. 14. 145701-145701
  • Hiroki Sakata, Dai Okamoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Hirohisa Hirai, Shinsuke Harada, Tetsuo Hatakeyama, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro. Accurate Determination of Threshold Voltage Shift during Negative Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFETs by Fast On-the-fly Method. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 6. 060901-060901
  • Xufang Zhang, Tsubasa Matsumoto, Ukyo Sakurai, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Satoshi Yamasaki, Mitsuru Sometani, Dai Okamoto, Hiroshi Yano, Noriyuki Iwamuro, et al. Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method. Carbon. 2020. 168. 659-664
  • Hiroki Nemoto, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hiroshi Yano. Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 4. 044003
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MISC (8)：
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Books (1)：
  • Compound Semiconductor
    Angel Business Communications publication 2017
Lectures and oral presentations  (93)：
  • nチャネルSiC MOSFETのSplit CV特性のTCADによる検討
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • pチャネルSiC MOSFETにおけるストレス印加・緩和時のしきい値電圧不安定性評価
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • SiC MOSFETのSplit CV特性を説明する等価回路モデルの検討
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • pチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping特性のチャネル長依存性シミュレーション
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
  • SiF4添加酸化によるSiO2/4H-SiC 構造における界面準位密度の低減
    (令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 2023)
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Professional career (2)：
  • Master of Engineering (Nara Institute of Science and Technology)
  • Ph.D. (Nara Institute of Science and Technology)
Work history (5)：
  • 2021/08 - 現在 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 客員研究員
  • 2021/04 - 現在 Toyama Prefectural University Faculty of Pure and Applied Sciences Assistant Professor
  • 2015/07 - 2021/03 University of Tsukuba
  • 2011/04 - 2015/06 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Advanced Power Electronics Research Center Research Scientist
  • 2009/04 - 2011/03 Japan Society for the Promotion of Science JSPS Research Fellow (DC2)
Committee career (16)：
  • 2025 - 第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会 実行・プログラム委員
  • 2024 - 第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会 実行・プログラム委員
  • 2023 - 令和5年度(2023年) 応用物理学会 北陸・信越支部 学術講演会 現地実行委員
  • 2023 - 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (IWDTF 2023) 実行委員
  • 2023 - 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 実行・プログラム委員
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Awards (7)：
  • 2020/12 - 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 研究奨励賞(指導学生)
  • 2019/12 - 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 研究奨励賞(指導学生)
  • 2010/05 - IEEE IMFEDK Best Paper Award
  • 2010/02 - IEEE Kansai Section Student Paper Award
  • 2009/12 - 応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 研究奨励賞
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Association Membership(s) (2)：
IEEE (Electron Devices Society) ,  The Japan Society of Applied Physics
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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