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J-GLOBAL ID：201502202372153263   Reference number：15A1045974

高品質α-Fe₂O₃薄膜の電気特性および磁気特性に与えるドーピング効果の影響

Author (6)： UCHIDA MASASHI (京大 大学院) ,  AKAIWA KAZUAKI (京大 大学院) ,  KOMORI SACHIO (京大 大学院) ,  KAKEYA ITSUHIRO (京大 大学院) ,  KANEKO KENTARO (京大 大学院) ,  FUJITA SHIZUO (京大 大学院)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 76th  Page： ROMBUNNO.14P-PA13-4  Publication year： Aug. 31, 2015 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *iron oxide ,  *electrical characteristic ,  *magnetic property ,  alpha iron ,  *thin film ,  *doping ,  magnetic semiconductor
Semi thesaurus term： doping effect ,  high quality ,  *oxide thin film

JST classification (4)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Magnetic properties of oxides  (BM06050E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： 高品質 ,  Fe2O3 ,  薄膜 ,  電気特性 ,  磁気特性 ,  ドーピング効果