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J-GLOBAL ID：201502203915463957   Reference number：15A1045258

スピン面発光レーザの開発へ向けた(110)GaAs/AlGaAs量子井戸の高速MBE成長

Author (5)： IBA SATOSHI (産総研 スピントロニクス研究セ) ,  SAITO HIDEKAZU (産総研 スピントロニクス研究セ) ,  WATANABE KEN (筑波大) ,  ONO YUZO (筑波大) ,  YUASA SHINJI (産総研 スピントロニクス研究セ)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 76th  Page： ROMBUNNO.14A-2W-11  Publication year： Aug. 31, 2015 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *surface emitting laser ,  *gallium arsenide ,  *aluminum gallium arsenide ,  quantum well ,  MBE growth ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  quantum well laser

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (7)： スピン ,  面発光レーザ ,  開発 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  MBE成長