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J-GLOBAL ID：201502204698139310   Reference number：15A1304946

Polarity Determination of GaN Thin Films by Anomalous X-Ray Diffraction

異常分散X線回折を利用したGaN結晶の極性評価

Author (1)： AKIMOTO KOICHI (日本女子大学理学部数物科学科)
Material： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
Volume： 57  Issue： 5  Page： 263-268 (J-STAGE)  Publication year： 2015 
JST Material Number： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *thin film growth ,  *vapor phase growth ,  *MOCVD ,  *MBE growth ,  *polarity ,  crystal structure ,  wurtzite type crystal ,  zincblende type crystal ,  *X-Ray Diffraction
Semi thesaurus term： *ハイドライド気相成長 ,  *organic metal chemistry gaseous phase growth method ,  *異常分散X線回折

JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Crystal structure of inorganic compounds in general  (BK07001T) ,  X-ray diffraction methods  (BK01020I)

Reference (18)：

• 1) F. A. Ponce, D. P. Bour and J. W. Steeds: Appl. Phys. Lett. 69, 3372 (1996).
• 2) B. Daudin, J. L.Rouviere and M. Arlery: Appl. Phys. Lett. 69, 2480 (1996).
• 3) M. Seelmann-Eggebert, J. L. Weyher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar and S. Porowski: Appl. Phys. Lett. 71, 2635 (1997).
• 4) A. Kazimirov, G. Scherb, J. Zegenhagen, T. -L. Lee, M. J. Bedzyk, M. K. Kelly, H. Angerer and O. Ambacher: J. Appl. Phys. 84, 1703 (1998).
• 5) T. Yasoshima, T. Koyama, K. Akimoto, A. Ichimiya, C. Sasaoka and A. Usui: Proc. of 2nd ISBLLED, Chiba, 620 (1998).

Terms in the title (6)： 異常分散 ,  X線回折 ,  GaN ,  結晶 ,  極性 ,  評価