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J-GLOBAL ID：201502206542706420   Reference number：15A1133747

Vertical and Lateral Copper Transport through Graphene Layers

グラフェン層を通しての垂直方向と横方向の銅輸送

Author (10)： LI Ling ,  CHEN Xiangyu (Stanford Univ., California, USA) ,  WANG Ching-Hua (Stanford Univ., California, USA) ,  CAO Ji (Stanford Univ., California, USA) ,  LEE Seunghyun (Stanford Univ., California, USA) ,  TANG Alvin (Stanford Univ., California, USA) ,  AHN Chiyui (Stanford Univ., California, USA) ,  ROY Susmit Singha (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  ARNOLD Michael S. (Univ. Wisconsin-Madison, Wisconsin, USA) ,  WONG H.-S. Philip (Stanford Univ., California, USA)
Material： ACS Nano
Volume： 9  Issue： 8  Page： 8361-8367  Publication year： Aug. 2015 
JST Material Number： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *copper ,  transport phenomenon ,  transverse direction ,  vertical direction ,  *graphene ,  monolayer ,  diffusion barrier ,  dielectric breakdown ,  vertical transport ,  crystal grain size ,  diffusion in solid ,  electric field effect ,  tantalum compound ,  nitride ,  grain boundary
Semi thesaurus term： Time-Dependent Dielectric Breakdown ,  tantalum nitride

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： グラフェン ,  垂直方向 ,  横方向 ,  銅 ,  輸送