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J-GLOBAL ID：201502207109566148   Reference number：15A0772590

Depth analysis on oxidation of Al/Si(111) thin film by X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation

シンクロトロン放射を用いたX線光電子分光法によるAl/Si(111)薄膜の酸化に於ける深さ分析

Author (4)： IMAMURA Motoyasu (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  IMAMURA Motoyasu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI Eiichi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  SASAKI Masahiro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 5  Page： 055202.1-055202.5  Publication year： May. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： synchrotron radiation ,  *X-ray photoelectron spectroscopy ,  *oxidation ,  *depth analysis ,  *Aluminum ,  *metallic thin film ,  foundation ,  silicon ,  ultra high vacuum ,  exposure ,  Oxygen ,  chemical composition ,  Computer Simulation ,  oxide film ,  film thickness ,  computer application ,  utilization ,  conversion coating film

JST classification (1)： Metallic thin films  (BK14030T)

Reference (64)：

• S. M. Bedair, F. Hofmann, and H. P. Smith, Jr., J. Appl. Phys. 39, 4026 (1968).
• S. M. Bedair and H. P. Smith, Jr., J. Appl. Phys. 42, 3616 (1971).
• D. W. Jepsen, P. M. Marcus, and F. Jona, Phys. Rev. B 6, 3684 (1972).
• C. W. B. Martinson and S. A. Flodström, Surf. Sci. 80, 306 (1979).
• D. J. O'Connor, E. R. Wouters, A. W. Denier van der Gon, J. Vrijmoeth, P. M. Zagwijn, W. F. J. Slijkerman, J. W. M. Frenken, and J. F. van der Veen, Surf. Sci. 287-288, 438 (1993).

Terms in the title (7)： シンクロトロン放射 ,  X線光電子分光法 ,  Al ,  Si ,  薄膜 ,  酸化 ,  深さ分析